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發(fā)布時間:2022-03-06 17:13:56  訪問次數(shù):427

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Intel放棄傲騰?官方回應

針對近期的一些不實傳聞,Intel澄清并表示,不會放棄3D XPoint技術,并且正在開發(fā)支持下一代至強可擴展處理器Sapphire Rapids的第三代傲騰產(chǎn)品。

  在此之前,美光退出3D XPoint市場,帕特·基辛格接任Intel首席執(zhí)行官,Intel NAND閃存業(yè)務賣給SK海力士,各種動作都讓外界對于Intel其它非易失性存儲器業(yè)務的未來充滿疑慮,尤其是一貫非常高調(diào)的Optane傲騰業(yè)務,最近非常低調(diào)。

  Intel現(xiàn)存的存儲相關業(yè)務主要是基于3D XPoint技術的傲騰固態(tài)盤和持久內(nèi)存業(yè)務,相關產(chǎn)品由美光在猶他州 Lehi的工廠制造,3D XPoint研發(fā)則由Intel位于新墨西哥州的Rio Rancho工廠開展。

Intel放棄傲騰?官方回應

傲騰持久內(nèi)存

  Intel目前正在出貨的是第二代3D XPoint產(chǎn)品,第三代及第四代產(chǎn)品層出現(xiàn)在2020年的Intel產(chǎn)品路線圖上,但沒有注明日期。

  過去幾個月,Intel也并未談及其對傲騰的承諾和計劃。

  從產(chǎn)品策略的角度來看,Intel傲騰持久內(nèi)存僅限于與至強CPU連接,一直被視為Intel至強CPU比AMD服務器CPU更具競爭優(yōu)勢的一大特性,通過有效為至強提供更多的內(nèi)存,加速應用程序運行。

  而如今,在HBM高帶寬內(nèi)存的幫助下,至強的內(nèi)存量限制正在被消除,Sapphire Rapids也會可選集成最多64GB HBM2e內(nèi)存。這意味著,將傲騰持久內(nèi)存作為至強助力的戰(zhàn)略必要性正在減少。

  今年2月,Intel數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲解決方案部門(包含傲騰業(yè)務)副總裁兼總經(jīng)理Alper Ilkbahar已辭職。此外,還有消息稱,Intel傲騰3D XPoint業(yè)務在2020年虧損超過5億美元。

  Intel在最近的投資者大會中都沒有提及或推廣傲騰。Objective Analysis的Jim Handy表示:“很難判斷Intel對3D XPoint/傲騰的承諾有多大。自從帕特·基辛格掌舵以來,Intel管理層在講話中從未提及傲騰,這種沉默很容易引起外界的遐想。Intel肯定不是在大力推動傲騰。”

  2月24日,在基辛格接受一次采訪中表示:“我從未想過涉足內(nèi)存業(yè)務,可以看到我在盡力退出我們的存儲業(yè)務。”

  緊隨其后,2月28日,分析師Tom Coughlin在福布斯上發(fā)表了一篇名為“Intel會放棄傲騰么?”的文章,其中指出:“Intel很可能會出售當前傲騰產(chǎn)品的剩余庫存,但不會為CXL和第五代PCIe開發(fā)新產(chǎn)品。”

  他補充說,“有很多傳言稱,Intel不會開發(fā)新的傲騰產(chǎn)品”,并總結(jié)道,“Intel一年多來并未發(fā)布新的傲騰內(nèi)存產(chǎn)品,并且自從美光在2021年關閉Lehi工廠以來,也沒有明顯增加3D XPoint的產(chǎn)能。這種非易失性存儲技術曾經(jīng)前途光明,但其相關產(chǎn)品可能是最后一代了。”

Intel放棄傲騰?官方回應

Intel投資者大會演講中有關Sapphire Rapids的信息

  基于以上種種,我們詢問Intel是否仍致力于開發(fā)傲騰和3D XPoint。

  對此,Intel全球傳播事業(yè)部的Ann Goldman答復稱:“我們將持續(xù)與客戶和合作伙伴在內(nèi)存和存儲技術領域展開密切合作,其中包括支持Sapphire Rapids的第三代Intel傲騰產(chǎn)品。與此同時,我們也正在賦能生態(tài)系統(tǒng),為實現(xiàn)基于CXL互連技術的內(nèi)存分層等關鍵技術做好準備。”

  我們認為,Intel仍將持續(xù)推動3D XPoint的進一步發(fā)展,但具體情況仍有待觀察。

  注解

  傲騰是Intel的品牌名稱,用于采用3D XPoint介質(zhì)的產(chǎn)品。這是相變存儲器的一種實現(xiàn)方式,使用電流將硫?qū)俨AР牧系臓顟B(tài)從晶體變?yōu)榉蔷w并再次變回晶體。這兩種狀態(tài)的電阻不同,即分別用于表示二進制的1和0。每個狀態(tài)都是持久的,即非易失的。

  3D XPoint介質(zhì)在單元中制造,這些單元以2層交叉點陣列布局,訪問速度比NAND閃存快,但比DRAM慢,寫入時間大約是讀取時間的三倍。

  傲騰可以用作連接內(nèi)存總線的DIMM(持久內(nèi)存)或連接NVMe的固態(tài)盤。


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